پاورپوینت ترانزیستورهای اثر میدانی با نانو لوله های کربنی (CNTFET) (pptx) 18 اسلاید
دسته بندی : پاورپوینت
نوع فایل : PowerPoint (.pptx) ( قابل ویرایش و آماده پرینت )
تعداد اسلاید: 18 اسلاید
قسمتی از متن PowerPoint (.pptx) :
سمینار درس نانو الکترونیک
ترانزیستورهای اثر میدانی با نانو لوله های کربنی
بسمه تعالی
فهرست
مقدمه ای بر نانولوله های کربنی
روش های ساخت نانو لوله های کربنی
CNTFET با گیت پشتی
CNTFET با گیت بالا
مشکلات CNTFET
کاربردCNTFET در سنسور گاز
نتیجه گیری
1
CNTFET با گیت دور نانو لوله
مراحل ساخت CNTFETگیت دور نانولوله
مقایسه پارامترهای کلیدی ترانزیستورهای اثر میدان مبتنی بر نانولوله های کربنی با MOSFET bulk و UTSOI MOSFET
بررسی تئوری جریان درین در ترانزیستور اثر میدان نانولوله کربنی گیت
کاربرد :ساخت گیت NOT با CNTFET
اندازه بسیار کوچک
قابلیت تحرک حامل ها بالاست
انتقال حامل ها بصورت بالستیک صورت می گیرد
نانو لوله چند جداره
نانو لوله تک جداره
نانو لوله های کربنی
مزایای نانو لوله های کربنی
2
ن
در این روش جریان بزرگی را از دو الکترود کربنی در فضای حاوی ماده پلاسما عبور می دهند .که این امر منجر به ایجاد جرقه در شکاف بین دو الکترود می شود .در این صورت بیش از 30 درصد خاکستر تولید شده نانو لوله های کربنی هستند.
در این روش یک گاز حاوی کربن آن قدر گرم می شود تا ملکول های گاز شروع به تجزیه شدن ،کنند.در این حالت یک زیرلایه در حضور کاتالیزگر در معرض گاز قرار می گیرد .اتم های کربن بر روی زیرلایه و در نزدیکی دانه بلور نیمه رسانا (seed) که از قبل بر روی زیر لایه قرار داده شده جمع می شوند و تا وقتی که زیرلایه در معرض گاز باشد رشد نانولوله های کربنی ادامه دارد
این روش مشابه روش اول است با این تفاوت که در این روش از لیزر برای بمباران کردن یک هدف گرافیتی استفاده می شود. با تغییر دمای واکنش و میزان کاتالیزگرها می توان قطر نانو لوله تولید شده را کنترل کرد.
روش های ساخت نانو لوله های کربنی
تخلیه الکتریکی پلاسما
نشست شیمیایی بخار
تبخیر لیزر
3
در
ترانزیستور های اثر میدانی با نانولوله های کربنی با گیت پشتی
مشخصه انتقالی مانند ترانزیستورMOSFET نوع p است.
3
تمامی ترانزیستورهای روی یک ویفر بطور همزمان خاموش و روشن می شوند چون دارای گیت یکسان هستند.
ضخامت لایه اکسید زیاد است واز طرفی فرآیند تولید به گونه ای است که سطح تماس نانولوله کربنی با اکسید گیت کم بوده و برای خاموش روشن کردن قطعه با ولتاژ کم مشکل ایجاد می کند.
4
در هندسه ترانزیستورهای گیت بالایی که اولین بار توسط Bachtold وهمکارانش ارائه
شده است ، برای بهره بیشتر ، نانولوله های کربنی به طور کامل درون عایق گیت قرار داده می شود . برخلاف ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربنی گیت پشتی ، می توان تعداد زیادی از این نوع ترانزیستور را روی یک ویفر ساخت ، به دلیل اینکه گیت های هر یک به
صورت مجزا می باشد . همچنین با توجه به ضخامت کم دی الکتریک گیت ، میدان الکتریکی بزرگتری را می توان با یک ولتاژ کم روی نانولوله کربنی ایجاد کرد . با وجود روند ساخت پیچیده تر نسبت به ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربنی گیت پشتی ، مزایا فوق باعث می شوند که این نوع ترجیح داده شوند
ترانزیستور اثر میدانی با نانو لوله کربنی با گیت بالا
5
ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله های کربنی گیت دور نانولوله
قرار دادن گیت در اطراف و در تمام نانولوله که باعث بهبود عملکرد می شود ، در سال 2011 شناخته و توسعه داده شد .ابتدا نانولوله کربنی که دارای پوشش عایق است روی ویفر قرار داده می شود که اتصال فلزی سورس و درین در دو طرف آن قرار داده می شود، سپس برای مشخص کردن و جدا کردن ناحیه سورس و درین ، si زیر نانولوله کربنی زادیش کرد . این زدایش کردن تا رسیدن به عایق بستر ادامه پیدا می کند . سپس با استفاده از موادی که ضریب دی الکتریک بالایی دارند ، عایق بین گیت و سورس و درین ایجاد شده و همچنین فلزی روی این عایق جهت اتصال بهتر فلز گیت به نانولوله کربنی قرار داده می شود.
6
مراحل ساخت ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله های کربنی گیت دور نانولوله
7