پاورپوینت افراره های غیر فعال (pptx) 72 اسلاید
دسته بندی : پاورپوینت
نوع فایل : PowerPoint (.pptx) ( قابل ویرایش و آماده پرینت )
تعداد اسلاید: 72 اسلاید
قسمتی از متن PowerPoint (.pptx) :
افزاره های غیر فعال
نمای کلی فصل 7:
فصل 7: افزاره های غیر فعال
ساختار های سلف
سلف های متقارن
اثر لایه محافظ زمین شده
سلف های حلقوی پشته ای
سلف ها
ساختار پایه
معادلات اندوکتانسی
خازن های پارازیتی
مکانیسم تلفات
مدل سازی سلف
خازن های متغیر
پیوند های PN
خازن های متغیر MOS
مدل سازی خازن متغیر
ترانسفورماتور ها
ساختار ها
اثر خازن تزویج
مدل سازی ترانسفورماتورها
دلیل ساخت سلف به صورت مجتمع :
فصل 7:افزاره های غیرفعال
در صورت استفاده از سلف خارج از تراشه :
تزویج بین سیمک های اتصال با دنیای بیرون از تراشه
ایجاد المان های پارازیتی که در فرکانس های بالا مهم خواهند شد
نیاز به تعداد زیادی سلف در مدارات RF
ساختار پایه
CH 7 Passive Devices
4
وجود تزویج متقابل بین هر دو دور باعث میشود که سلف های حلقوی اندوکتانس بیشتری نسبت به خطوط مستقین با همان طول داشته باشند.
برای حداقل کردن مقاومت های سری و خازن های پارازیتی سلف های حلقوی در بالا ترین لایه فلزی ساخته میشوند ( که ضخیم ترین لایه ها هستند ).
اندوکتانس سلف حلقوی با N دور :
CH 7 Passive Devices
5
اندوکتانس یک سلف حلقوی با N دور دارای جمله خواهد بود .
دو عامل نرخ رشد بر حسب تابعی از N را محدود میکند :
حلقه های درونی کوچکترند و در نتیجه دارای اندوکتانس کمتری هستند .
ضریب تزویج متقابل برای دورهای مجاور تنها حدود 7. است و برای دور های غیر مجاور کاهش می یابد .
تاثیر هندسه سلف بر اندوکتانس
CH 7 Passive Devices
6
یک سلف حلقوی مربعی دو بعدی توسط 4 کمیت مشخص می گردد:
ابعاد بیرونی ِDout
تعداد دور ها N
پهنای خط W
فاصله خطوط S
CH 7 Passive Devices
7
این کار باعث کاهش قطر دور های داخلی میشود که موجب کاهش اندوکتانس خواهد شد .
افزایش بیشتر W ممکن است که باعث کاهش دورها شود و اندوکتانس را کم کند .
تاثیر دو برابر کردن پهنای خط بر اندوکتانس
CH 7 Passive Devices
8
بهتر است قطری 5تا 6 برابر W برای حفره داخلی انتخاب شود .
هدف: کمینه کردن ضریب تزویج مغناطیسی بین اضلاع روبروی داخلی ترین دور.
نمودار ضریب تزویج مغناطیسی بین دو خط مستقیم
ساختار های مختلف سلف
CH 7 Passive Devices
9
8 ضلعی
متقارن
پشته ای
با لایه محافظ زمین شده
حلقه های موازی
دایره ای
تنوع این ساختار ها نشان دهنده تلاش های بسیار زیاد طراحان برای بهبود تقابل های موجود در طراحی سلف هاست (برای مثال تقابل بین ضریب کیفیت و مقدار خازن یا بین اندوکتانس و ابعاد )