پاورپوینت بررسی آخرین دستاوردهای لیزرهای چاه کوانتومی کرنشی (pptx) 21 اسلاید

دسته بندی : پاورپوینت

نوع فایل : PowerPoint (.pptx) ( قابل ویرایش و آماده پرینت )

تعداد اسلاید: 21 اسلاید

قسمتی از متن PowerPoint (.pptx) :

بسم اللّه الرحمن الرحیم دانشکده مهندسی برق بررسی آخرین دستاوردهای لیزرهای چاه کوانتومی کرنشی InGaAsP/InP آن چه در این سمینار خواهید دید: 1/18 2/18 مقدمه ساختار با بازدهی تزریق بهینه ساختار با دیسک‏های جفت شده ساختار با قابلیت تولید پالس بسیار کوتاه جمع بندی کرنش در باند هدایت نیمه‏هادی‏های III-V باعث تغییر مکان لبه باند می‏شود. اثر کرنش در باند ظرفیت شدیدتر است و در ازای تغییرات گاف انرژی، اختلاف انرژی بین حفره‏های سبک و سنگین تغییر می‏کند. کرنش کششی تحت فشار در لیزر چاه کوانتومی منفرد (SQW) چگالی جریان آستانه بسیار پایین است. تعدد چاههای کوانتومی در لیزرهای با چاه‏های کوانتومی متعدد (MQW) بهره‏ی بالایی را فراهم می‏نماید که تلفات زیاد آینه‏ها را در کاواک کوچک می‏پوشاند. معایب MQW تزریق غیر یکنواخت تولید نقص در چاه کوانتومی کرنشی لیزرهای نیمه‏هادی در کلاس‏ ایمن برای چشم انسان، با عملکرد در طول موج 1.55 µm مورد نیاز می‏باشد. لیزرهای InGaAsP/InP مورد استفاده قرار گرفتند. مقدمه ساختار با بازدهی تزریق بهینه ساختار با دیسک‏های جفت شده ساختار با قابلیت تولید پالس بسیار کوتاه جمع بندی 3/18 کاربردهای کرنش مزیت لیزر چاه کوانتومی با بهره‏ی مود TEغالب مشخصات بهتر مانند ضرایب بازترکیب تشعشعی بزرگتر و بهره‌‏ی تفاضلی بالاتر لیزر مدولاسیون مستقیم سریع تقویت کننده‌‏ی اپتیکی نیمه‏هادی با پولاریزاسیون شدت مدولاتورهای فاز میزان کرنش تا 0.7% می‏تواند دست‏یابی به طول موج m µ 1.55 را فراهم نماید. کرنش مقدمه ساختار با بازدهی تزریق بهینه ساختار با دیسک‏های جفت شده ساختار با قابلیت تولید پالس بسیار کوتاه جمع بندی 4/18 کارایی لیزر InGaAsP/InP به فاصله‏ی لایه‏ی P-InP تا لایه‏ی فعال بستگی دارد. سه ساختار لیزری با ضخامت یکسان موج‏بر نوری مورد بررسی قرار می‏گیرند. ناحیه‏ی فعال: 3 چاه کوانتومی کرنشی تحت فشار با ضخامت 5nm   4 سد کوانتومی کرنشی کششی با ضخامت 10nm   دوپ p با استفاده از Zn به میزان دوپ n با استفاده از Si به میزان     مقدمه ساختار با بازدهی تزریق بهینه ساختار با دیسک‏های جفت شده ساختار با قابلیت تولید پالس بسیار کوتاه جمع بندی 5/18 دیاگرام باند انرژی برای ساختار +300 جریان نوری برای یک لیزر 1mm بهترین کارایی: ساختار +150 در منحنی داخلی، شیب بازدهی ساختار +450 با افزایش جریان، سریع‏تر افت می‏کند. مقدمه ساختار با بازدهی تزریق بهینه ساختار با دیسک‏های جفت شده ساختار با قابلیت تولید پالس بسیار کوتاه جمع بندی 6/18 تمرکز توزیع الکترون در ساختار +300 در جریان‏های تزریق مختلف تمرکز توزیع الکترون حفره در جریان تزریقی 400 mA تمرکز الکترون در لایه‏ی SCL بالایی و P-InP در ساختار با SCL باریکتر کاهش می‏یابد. به منظور کاهش تاثیرات نشت الکترون، فرایند بازترکیب تشعشعی خود به خودی حامل‏ها و بهبود بازدهی تزریق حامل‏ها، ساختار +150 بهترین انتخاب می‏باشد. مقدمه ساختار با بازدهی تزریق بهینه ساختار با دیسک‏های جفت شده ساختار با قابلیت تولید پالس بسیار کوتاه جمع بندی 7/18